磁环变逆变器制作方法

本实用新型提供一种磁环电抗器及逆变器，以解决现有技术中导入工艺上难度大及存在碰撞损坏风险的问题。

为实现上述目的，本申请提供的技术方案如下：

一种磁环电抗器，包括：

壳体；

设置于所述壳体内部的电抗器电感；

设置于所述壳体内部、套在所述电抗器电感的输入输出线上的磁环；

设置于所述壳体内部、固定所述磁环的支撑体。

优选的，所述支撑体为将所述磁环灌封于所述壳体内部的填充物。

优选的，所述磁环的材质为铁氧体、非晶及纳米晶中的任意一种。

优选的，所述电抗器电感的输入输出线绕过所述磁环的匝数大于等于1。

一种逆变器，包括：如上述任一所述的磁环电抗器。

优选的，所述逆变器的逆变电路中设置有所述磁环电抗器。

优选的，所述逆变电路为两电平逆变电路、三电平逆变电路以及多电平逆变电路中的任意一种。

优选的，还包括：设置于所述逆变电路直流侧的DC/DC变换电路，所述DC/DC变换电路中设置有所述磁环电抗器。

优选的，所述DC/DC变换电路为升压电路、降压电路以及升降压电路中的任意一种。

本实用新型提供的磁环电抗器，其磁环设置在壳体内部，通过支撑体与电抗器电感集成为一个整体，无需再考虑磁环与电抗器电感之间的固定方式、固定位置等导入工艺问题；同时，也对磁环起到了一定的防护效果，避免了运输过程中碰撞损坏的风险。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术内的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述内的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的磁环电抗器的结构示意图；

图2是本实用新型另一实施例提供的磁环电抗器应用于两电平逆变电路的示意图；

图3是本实用新型另一实施例提供的磁环电抗器应用于Boost电路的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本实用新型提供一种磁环电抗器，以解决现有技术中导入工艺上难度大及存在碰撞损坏风险的问题。

具体的，该磁环电抗器，参见图1，包括：

壳体101；

设置于壳体101内部的电抗器电感102；

设置于壳体101内部、套在电抗器电感102的输入输出线上的磁环103；

设置于壳体101内部、固定磁环103的支撑体104。

该磁环电抗器采用集成设计的思路，将磁环103设置在壳体101内部，电抗器电感102的输入输出线同时穿过磁环103中孔，磁环103在壳体101内部通过支撑体104进行固定，使磁环103与电抗器电感102之间的位置关系固定，无需再进行后续的导入工作。

本实施例提供的该磁环电抗器，其磁环103设置在壳体101内部，通过支撑体104与电抗器电感102集成为一个整体，无需再考虑磁环103与电抗器电感102之间的固定方式、固定位置等导入工艺问题；同时，也对磁环起到了一定的防护效果，避免了运输过程中碰撞损坏的风险。

并且，与现有技术在电抗器外侧的输入输出导线上套磁环相比，本实施例将磁环103设置在壳体101内部，使得磁环103更接近干扰源电抗器电感102，可以缩短一段导线的长度，磁环103与干扰源电抗器电感102的距离更近，抑制EMI干扰的效果更好。

另外，由于EMI干扰一般都属于高频干扰，尤其辐射发射测试频段为30MHz～1GHz，频率越高，机器内的分布参数影响越大。现有技术中，磁环固定在电抗器外侧的位置并不能完全一致，不同电抗器外侧其磁环的设置位置稍有偏差，对应的分布参数就会改变，EMI性能就会出现差异；也即，现有技术中EMI测试结果难以保证一致性。

因此，本实施例提供了另外一种磁环电抗器，在上述实施例及图1的基础之上，优选的，支撑体104为将磁环103灌封于壳体101内部的填充物。

磁环103使用填充物进行灌封，能够对磁环103起到全方位的更优防护效果；同时，还能够使磁环103的位置确定，分布参数一致，对EMI干扰的抑制能力相同，保证了EMI测试结果的一致性。

再者，逆变器的工作环境包括高湿高盐雾环境，现有技术中铁氧体磁环的主要材质为氧化铁，其防护漆一旦破损就会生锈腐蚀，不能正常发挥作用；上一实施例中，即便磁环103的材质为铁氧体，其提供填充物封装之后即可与外界环境隔绝，避免了生锈腐蚀的风险。

另外，在上一实施例的基础之上，可选的，磁环103的材质还可以为非晶及纳米晶中的任意一种。也即，本实施例中的磁环103的材质可以为铁氧体、非晶及纳米晶中的任意一种。

值得说明的是，上述各个实施例中并不限定线束绕过磁环103的匝数，图1以一匝为例，也可绕两匝或多匝；也即，电抗器电感102的输入输出线绕过磁环103的匝数大于等于1即可。

本实用新型另一实施例还提供了一种逆变器，包括上述任一实施例所述的磁环电抗器。

在逆变器的逆变电路中，通常设置有与开关器件管脚相连的电抗器，该电抗器即可以上述磁环电抗器来实现。

该磁环电抗器应用于两电平逆变电路的示意图参见图2，另外，该磁环电抗器还可以应用于三电平逆变电路或者多电平逆变电路，此处不再一一赘述。

实际应用中，该逆变器中通常还包括：设置于逆变电路直流侧的DC/DC变换电路，比如升压电路、降压电路或者升降压电路，该DC/DC变换电路中与开关器件管脚相连的电抗器即可采用上述磁环电抗器。

以逆变器的升压电路(即Boost电路)中设置有磁环电抗器为例进行说明，参见图3，当开关管Q快速导通、关断时，会产生强烈的EMI干扰，磁环电抗器L与开关管Q直接相连，使磁环电抗器L也成为干扰源。而该磁环电抗器，由于采用上述实施例所述的集成设计，不仅无需再考虑磁环与电抗器电感之间的固定方式、固定位置等导入工艺问题；同时，也对磁环起到了一定的防护效果，避免了运输过程中碰撞损坏的风险；另外，还可以缩短与电抗器电感之间的距离，起到改善EMI性能的效果。

其余原理与上述实施例相同，此处不再一一赘述。

本实用新型中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制。虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。